三星a8内存太高怎么办

迈向 3D 内存三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

IT之家 5 月 21 日消息,综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道,三星电子...三星电子还在会议上 探讨了将 BSPDN 背面供电技术用于 3D DRAM 内存的可能性,Lee Siwoo 认为该技术有助于于未来对单个内存 bank 的精细供电调节。

扩容不换机!三款适合小屏幕用户的内存扩展神器推荐

随着生活节奏加快,人们对手机的要求也越来越高。现在的手机不仅要表现出色,还要在外形设计和拍照方面独具特色。为此,本文将为您推荐三款广受赞誉的小屏内存扩展手机:三星GalaxyS23、华为Mate60RS和华为Mate60Pro。

【手慢无】三星 S23 U 旗舰手机限时优惠!5984入手真香机

三星S23U,一款集时尚设计和卓越性能于一身的高端智能手机。其搭载了强大的Exynos1Primary处理器,带来流畅的操作体验;配备超清OLED屏幕,显示效果出色;内置12GB运行内存和256GB存储空间,满足用户对高性能的需求。

三星电子瞄准能效优势,计划在HBM4内存中采用1c nm制程DRAM裸片

【ITBEAR科技资讯】5月17日消息,据韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正考虑在下一代HBM4内存中采用先进的1c nm制程DRAM芯片,以增强其产品的能效竞争力。今年年初,三星电子的代表在Memcon 2024行业会议上透露,公司有望在年底前...

12GB 内存三星 Galaxy Z Fold6 手机跑分曝光:多核比前代高29%

IT之家 5 月 17 日消息,三星 Galaxy Z Fold6 手机近日现身 GeekBench 跑分库,6.3.0 版本单核得分为 1964 分,多核得分为 6619 分。...页面信息还显示这款手机搭载 12GB 内存,运行安卓 14 系统,可能是 One UI 6.1.1 版本。

DRAM出货量集中在下半年 三星SK海力士增加先进工艺晶圆投入

三星、SK海力士和美光正在积极投资高带宽内存(HBM),而由于产能挤占效应,下半年的DRAM产品可能会面临短缺。根据集邦咨询的报告,三大DRAM供应商正在增加先进工艺的晶圆投入。今年下半年将重点扩大产能,并预计到年。

HBM激战压力太大?三星更换芯片主管

在人工智能浪潮的带动下,两家内存芯片龙头三星和SK海力士都在加紧高带宽内存(HBM)芯片的技术投入,争夺这块新兴市场的主导权。本周二,三星电子(208.25,0.00,0.00%)任命了新的半导体业务主管郑荣炫,旨在巩固公司在人工智能...

三星电子高管大换血:全永贤上任DS部门 庆桂显执掌未来业务

【ITBEAR科技资讯】5月21日消息,三星电子今日宣布了一项重要的人事变动,打破了其通常在年底进行高管调整的惯例。新任设备解决方案(DS)部门负责人全永贤(Jun Young Hyun)正式接替庆桂显(Kyung Kyehyun)的职位,此举意在加强...

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度】5月22日讯,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量...

此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。(Business Korea) 下载汇通财经APP,全球资讯一手掌握 篇数:93061 粉丝:0 美元指数 104.66 0.01 0.01% 欧元...

高带宽内存市场供不应求 概念股业绩获机构看好

为抢占这一增量市场,三星、SK海力士等企业正在为高带宽内存调配更多产能,并推动高带宽内存的规格迭代。2023年,高带宽内存价格“逆势暴涨”。2024年,高带宽内存依旧“状态火热”,带动产业链公司股价“水涨船高”。据市场...